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(GB/T 6618-2009)硅片厚度和总厚度变化测试方法
日期:2015-02-10   [复制链接]
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3.2扫描式测量

硅片由基准环上的3个半球状顶端支承,在硅片中心点进行厚度测量,测量值为硅片的标称厚度。

然后按规定图形扫描硅片表面,进行厚度测量,自动指示仪显示出总厚度变化。扫描路径图见图2。

4干扰因素

4.1分立点式测量


4.1.1由于分立点式测量总厚度变化只基于5点的测量数据,硅片上其他部分的无规则几何变化不能被检测出来。

4.1.2硅片上某一点的局部改变可能产生错误的读数。这种局部的改变可能来源于表面缺陷例如崩边,沽污,小丘,凹坑,刀痕,波纹等。

4.2扫描式测量

4.2.1在扫描期间,参考平面的任何变化都会使测量指示值产生误差,相当于在探头轴线上最大与最小值之差在轴线矢量值的偏差。如果这种变化出现,可能导致在不正确的位置计算极值。

4.2.2参考平面与花岗岩基准面的不平行度也会引起测试值的误差。

4.2.3基准环和花岗岩平台之间的外来颗粒、沽污会产生误差。

4.2.4测试样片相对于测量探头轴的振动会产生误差。

4.2.5扫描过程中,探头偏离测试样片会给出错误的读数。

4.2.6本测试方法的扫描方式是按规定的路径进行扫描,采样不是整个表面,不同的扫描路径可产生不同的测试结果。
 
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