5.2.2.2探测位置垂直方向的位移分辨率不大于0.25µm,

5.2.2.3在标称零位置附近，每个探头的位移范围至少为25μm。

5.2.2.4在满刻度读数的0.5％之内呈线性变化。

5.2.2.5在扫描中，对自动数据采样模式的仪器，采集数据的能力每秒钟至少100个数据点。

5.2.2.6探头传感原理可以是电容的、光学的或任何其他非接触方式的，应选用适当的探头与硅片表面间距。规定非接触是为防止探头使试样发生形变。指示器单元通常可具有：(1)计算和存储成对位移测量的和或差值以及识别这些数量最大和最小值的手段，(2)存储各探头测量值的选择显示开关等。显示可以是数字的或模拟的（刻度盘），推荐用数字读出，来消除操作者引人的读数误差。

5.2.3定位器

限制基准环移动的装置，除停放装置外，它使探头固定轴与试样边缘的最近距离不能小于6.78mm。基准环的定位见图4。


5.2.4花岗岩平板：工作面至少为305mm×355mm。

5.2.5厚度校准样片：变化范围等于待测硅片标称厚度±0.125mm，约50μm为一档。每个校准样片的表面粗糙度在0.25μm之内，厚度变化小于1.25μm。标准样片面积至少应为1.6c㎡，最小边长为13mm。

6取样原则与试样制备

6.1从一批硅片中按GB/T 2828.1计数抽样方案或双方商定的方案抽取试样。

6.2硅片应具有清洁、干燥的表面。

6.3如果待测硅片不具备参考面，应在硅片背面边缘处做出测量定位标记。