7测量程序

　7.1测且环境条件

7.1.1温度：18℃-28℃。

7.1.2湿度：不大于65％。

7.1.3洁净度：10 000级洁净室。

7.1.4具有电磁屏蔽，且不与高频设备共用电源。

7.1.5工作台振动小于0.5gn。

7.2仪器校正

7.2.1用一组厚度校正标准片（见5.2.5)置于厚度测量仪平台或支架上进行测量。

7.2.2调整厚度测量仪，使所得测量值与厚度校正标准片的厚度标准值之差在2µm以内。

7.2.3以标称厚度为横坐标，测试值为纵坐标在坐标系上描点，通过两个端点画一条直线。在两个端点画出对应端点值±0.5％的两个点，通过两个＋0.5％和一0.5％的点各画一条限制线（如图5所示），观察描绘的点都落在限制线之内（含线上），就认为设备满足测试的线性要求。否则应对仪器重新进行调整。


7.3测量校准

7.3.1用一块与被测硅片厚度相差50μm之内的厚度标准片，置于厚度测量仪平台或支架上进行测量。

7.3.2调整厚度测量仪，使所得测量值与该厚度校正标准片的厚度标准值之差在2μm以内即可。

7.4测且

7.4.1分立点式测量包括接触式与非接触式两种。

7.4.1.1选取待测硅片，正面朝上放人夹具中，或置于厚度测量仪的平台或支架上。

7.4.1.2将厚度测量仪探头置于硅片中心位置（见图1)（偏差在±2mm之内），测量厚度记为ti，即为
该片标称厚度。（采用接触式测量时，应翻转硅片，重复操作，厚度记为tl 7，比较ti与ti'较小值为该片标称厚度值。）

7.4.1.3移动硅片，使厚度测量仪探头依次位于硅片上位置2.3.45(见图1)(偏差在±2mm之内），测量厚度分别记为t2、t3、t4、t5。

7.4.2扫描式测量

7.4.2.1采用非接触式测厚仪。如果还未组装，将与被测硅片尺寸相对应的基准环装配在平板上以及装上相应的定位器，限制环移动，检查探头应在远离操作者位置（见图4)。

7.4.2.2把试样放在支承柱上，使主参考面与参考面取向线平行，被测硅片的周界应与最靠近探头停放位置的两个定位销贴紧。

7.4.2.3将厚度测量仪探头置于硅片中心位置1(见图1)(偏差在±2mm之内），测量厚度记为t，即为该片的标称厚度。

7.4.2.4移动平板上的基准环，直到探头处于扫描开始位置为止。

7.4.2.5指示器复位。

7.4.2.6移动平台上的基准环，使探头沿曲线和直线段1-7扫描（见图2)。

7.4.2.7沿扫描路线，以μm为单位，记录被测量点上、下表面的各自位移量。对于直接读数仪器，记录成对位移之和值的最大值与最小值之差，即为该硅片总厚度变化值。

7.4.2.8仅对仲裁性测量要重复7.4.2.5-7.4.2.7操作达9次以上。

7.4.2.9放置基准环使探头处于停放位置，然后取出试样。

7.4.2.10对每个测量硅片，进行7.4.2.2-7.4.2.9的操作步骤。