1、串联电阻值对弱光性能的影响

在PVsyst模型中，组件实际测试的串联电阻值被定义为Series Resistance（apparent），简写为Rs（apparent），而SeriesResistance（module）为单二极管模型有关的电阻值，简写为Rs（module），这个值无法从组件的Datasheet得到，一般需要根据实际情况进行调整。以XXX-240P多晶组件为例，在PVsyst默认的组件PAN文件参数里面，该组件标准测试条件下的Rs（apparent）值为0.48Ω，Rs（module）为0.281Ω，标准测试条件下并联电阻值Rsh（Gref）为250Ω。

现将Rsh（Gref）固定为250Ω，Rsh（0）默认为Rsh(Gref)的4倍，Rsh（exp）=5.5，这里的Rsh（0）和Rsh（exp）会在第三部分详细说明，假设Rs（module）值分别取为0.35Ω和0.413Ω，和默认的0.281Ω进行比较，使用PVsyst软件可得到不同辐照度下组件的峰值功率和NOCT条件下组件的峰值功率Pmax，结果参考表1。

表1 XXX-240P组件在不同Rs（module）值和不同辐照度下的Pmax比较（Rsh（Gref）=250Ω）


图3为不同Rs（module）值在不同辐照下的相对STC 时转换效率，从表1和图3模拟结果可知，和默认值0.281Ω相比，适当提高组件的Rs（module）值，可以提升弱光下的输出性能。





图3 不同Rs（module）值在不同辐照下的相对STC转换效率比较（@Rsh（Gref）=250Ω）
表2为基于南京地区不同Rs（module）的组件系统弱光损失对比，当Rs（module）以0.005Ω微小变化时，弱光损失的变化幅度约在0.1%左右，即说明了Rs（module）的微小变化对弱光损失的影响很大。

表2 XXX-240P组件系统取不同Rs（module）值的全年弱光损失比较（@Rsh（Gref）=250Ω，Pm=96kW）