3.2、串联电阻值参数的优化调整方法

在PVsyst软件中未提到串联电阻值Rs和辐照度的变化关系，相关文献中[3][4]给出了晶硅电池串联电阻值随着辐照变化的趋势，从图10可知当辐照降低时，电池的串联电阻也有微小的变化，同时和Rsh的对比可知，Rs降低幅度比Rsh要小很多。


Rs（module）的调整参考图11定义窗口，默认提供了两种输入模式，第一种只需要输入组件在不同光强和温度下的相对STC条件转换效率（可选 800, 600, 400 and 200 W/m²和 25°条件），第二种模式是输入具体的光强、温度、Isc、Voc、Impp和Vmpp值，参考图12。


以XXX240-60P多晶组件为例，参考第三方权威测试机构提供的低辐照测试结果（测试条件：200W/m2，25℃，AM1.5），在200W/m2下的电性能参数如表7所示，将Vm、Im、Isc和Voc输入到PVsyst软件，同时软件自动计算在200W/m2时的转换效率和其相对于STC下的转换效率，其衰减比例为2.76%，完成后如图13所示，点击“OPtimizeRs”可获得Rs（module）值，软件自动进行拟合得到Rs值为0.345Ω，同时600-800W/m2辐照区间的弱光损失结果显示0.5%以内。

表7第三方测试机构提供的低辐照测试结果