（三）光伏制造企业按产品类型应分别满足以下要求：

1.多晶硅项目每期规模不低于3000吨/年；

2.硅锭年产能不低于1000吨；

3.硅棒年产能不低于1000吨；

4.硅片年产能不低于5000万片；

5.晶硅电池年产能不低于200MWp；

6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；

7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp；

8.逆变器年产能不低于200MWp（微型逆变器不低于10MWp）。

（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：

1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；

2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，碳、氧含量分别小于10和16PPMA；单晶硅片少子寿命大于10μs，碳、氧含量分别小于1和16PPMA；

3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于17%和18.5%；

4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；

5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%、10%；

6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%，不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于98%（微型逆变器相关指标分别不低于94%和95%）。

（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：

1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2级品以上要求；

2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，碳、氧含量分别小于1和16PPMA；

3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18.5%和20%；

4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17%；

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、13%、13%、12%。

（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在1年内分别不高于2.5%和3%，25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在1年内不高于5%，25年内不高于20%。