摘要：主要研究了不同方阻对高电阻率太阳能电池片电性能的影响，高电阻率电池片其短路电流（Isc）、开路电压（Uoc）会随着扩散方阻的增大呈线性增长，填充因子（FF） 会随着扩散方阻的增大呈线性减少，而光电转换效率（Eta）会随着扩散方阻的增大先平缓增长至峰值后迅速下降。

关键词：高电阻率太阳能电池片、扩散方阻、电性能

中图分类号：TM914.4+1 文献标识码：A

0 引言

太阳能电池是一个巨大的半导体二极管，以半导体材料为基础进行能量转换。目前，光伏行业中硅太阳能电池还是占主导位置。

太阳能电池普遍使用硅晶体做基体，通常是将圆柱形的单晶硅棒切割成片，所以硅片的质量在很大程度上决定了太阳能电池的性能。

人们从石英砂中用碳还原的方法制得工业硅，但此时的工业硅纯度不是很高，其中还含有铁、铝、钙、镁等很多金属杂质；然后，再提纯去除这些金属杂质，还原沉积出来高纯的多晶硅；而多晶硅的纯度并没有达到太阳能电池所要求的硅片的纯度，所以还需进一步提纯制得单晶硅。

目前大多使用直拉法制造的单晶硅，在石英坩埚中将多晶硅加热熔化，加入掺杂剂，用一小块籽晶从熔融硅拉出圆柱形的单晶硅。由于掺杂的浓度不同，单晶硅的电阻率也会不同。硅片的电阻率的范围相当宽泛，可针对于太阳能电池来说，电阻率较低的硅片能得到较高的开路电压和光电转换效率，高电阻率硅片制成的太阳能电池的开路电压较低，进而导致填充因子下降，所以转换效率很低[1、2]。

近几年，我国的硅片生产技术已经有了相当大的进步，但是还是不能精确地控制硅片的电阻率值，只能将硅片的电阻率控制在一定范围内，所以对于部分高电阻率的硅片，需要人们更加了解它们的性能进而提高其光电转换效率[3-5]。

1 实验

本文选取电阻率在3.5-4.5Ω·cm范围内的高电阻率的单晶硅片210片，规格为156mm×156mm，厚度为200μm。首先在210片硅片表面利用碱腐蚀制备绒面结构，即在硅表面利用硅的各向异性腐蚀制得千千万万个小金字塔，形成陷光，增加光的吸收，提高电池的短路电流和转换效率。清洗后进行制p-n结，也就是在硅片表面掺杂与硅片基体杂质导电类型不同的杂质层。目前，硅太阳能电池常用的方法在高温下在P型硅中掺杂Ⅴ族杂质或在n型硅中掺杂Ⅲ族

杂质，由于高温作用杂质元素通过热扩散运动进入基体，而杂质的浓度和p-n结的深度因杂质的元素种类、初始浓度和扩散温度而异。这种扩散的分布方式对电池的电性能影响很大，因工艺不同，扩散分布方式也不同。而在扩散环节，将210片硅片分成7组，这7组分别进行扩散，最后这7组制得的方阻分别为70Ω、75Ω、80Ω、85Ω、90Ω、100Ω、105Ω。然后分别除去背结，再通过化学气相沉积法制减反射膜。最后用丝网印刷的方法印刷电极并烧结成片。

取这7组不同方阻的电池片进行电性能检测，并分别收集电性能数据。