铝层可以用扫面电子显微镜（SEM）和能量色散谱/能量色散x射线来表征（EDS/EDX）。如图1（a）所示，三层（A，B，C）分别是：BSF（A：硅和1%的铝合成）；共晶层或铝硅合金（B：铝和12.6%的硅合成）；和多孔铝C。对于背钝化太阳能电池，可以从两方面重新定义铝层：（1）在共晶合金（大于铝和12.6%的硅的合成）中的深灰色可见区域（在d2范围内）；（2）铝层的剩余部分是有铝粉浆的固体颗粒形成的。图2所示的是不同LCO宽度的d1关系图，其中y轴是深灰色区域（硅在铝中的区间限制d2）的光学测量，对应着烧结的峰值温度，LCO是500μm时，标绘的误差线表示了在光学显微镜分析中的较小偏差。对不3个不同的d1值，图线为线性拟合，而相同的关于烧结峰值温度的线性相关是值得人们注意的，其中斜率是（3±0.12）μm/℃，这意味着LCO的增长速度是（1.50±0.06）μm/℃。此外，LCO边界处硅的横向扩散限制[d2-d1]/2决定于以下参数：750℃时是（75±9），850℃时是（225±30），950℃时是（375±90）。这些结果显示对于一定的烧结峰值温度，硅在铝中的扩散范围是不变的，而且不受LCO宽度的影响，所以硅在铝中的最大的扩散范围是可以预测的。

　在950℃烧结峰值温度时，用EDX对两个样品中铝硅合金进行行扫描。图3显示的是SEM显微图和EDX结果。样品在激光切割后，在以下条件下进行横截面的分析：加速电压10KV，检测电流780PA，扫描速度5.4μs/pxl，电子束聚焦成直径660nm，10μm的行扫描宽度中300s记一次数。从LCO的中心200μm处可以测量出硅含量，虽然这种方法的结果会受铝层的结构均质化所影响，但是可以发现铝中的硅浓度随着与LCO中心的距离的增加而减小，如图3（b）所示。