“碳中和”趋势浪潮下，以GaN、SiC为代表的第三代半导体具备耐高温、耐高压、高频率、大功率等优势，相比硅器件可降低50%以上的能量损失，并减小75%以上的装备体积，是助力社会节能减排并实现“碳中和”目标的重要发展方向。

以光伏逆变器为例，由于对功率半导体器件性能、指标和可靠性要求日益提高，更高的工作电压、更大的工作电流、更高的功率密度以及更高的工作温度都将是未来的挑战。随着行业迈入“后1500V”以及“20A大电流”时代，要建成更大组串，进一步降低成本，采用宽禁带半导体即GaN和SiC，成为太阳能逆变器的制胜之道。

具有GaN和SiC隔离器的电力电子设备可将太阳能微逆变器和串式逆变器的效率提升到98%以上，并且在微型逆变器领域可在不增加电力成本的基础上具有最大的价格溢价能力。因此SiC模块已得到英飞凌、安森美、富士电机等国际大厂的规模化应用。当前国内碳化硅全产业链也正在快速突破，斯达半导、新洁能、闻泰科技、露笑科技等公司新成果频现，全球碳化硅市场规模正在快速成长。

原标题：第三代半导体