“同质结太阳能电池是用晶体硅作为吸收层的n型和p型层制造的。相反，异质结技术将基于晶圆的光伏技术(标准)与薄膜技术相结合，为 异质结太阳能电池 提供最佳功能。那么制造异质结太阳能电池的材料有哪几种呢？「美能光伏」为异质结太阳能电池产业生产工艺上提供了怎样的技术测试支持呢？”

三种重要的材料 — 用于异质结太阳能电池:晶体硅(c-Si)，非晶硅(a-Si)，氧化铟锡(ITO)

晶体硅「 c-Si 」

晶体硅（c-Si）是当今快速发展的光伏（PV）产业的基础，并以晶体晶片的形式经常被用于制造标准的同结太阳能电池。硅似乎是接近理想的光伏材料，因为它丰富、无毒，并且受益于庞大的知识库和工业基础设施。通过在玻璃上沉积非晶硅（a-Si:H），然后在550-600C下退火6-24小时，可以很容易地生长c-Si薄膜。最大的挑战可能是Si和SiO 2的高界面反应性。尽管如此，硅外延已经在许多国外衬底上实现。光伏太阳能电池可能需要外延增厚到2-10米，有效光捕获达到15%或更高的效率。c-Si有两种，多晶硅和单晶硅，但 单晶硅 是HJT太阳能电池唯一考虑使用的一种，因为它有更高的纯度，因此效率更高。


非晶硅「 a-Si 」

在70年代，人们发现 非晶硅（a-Si）适合用于 薄膜光伏技术，并且可以作为太阳能电池中的半导体，是制造异质结太阳能电池的第二大重要材料。就器件特性而言，非晶硅不同于晶体（有序）硅。在不需要形成晶体的情况下，可以在远低于200℃的温度（约200℃）下在各种基板材料上加工，为各种电子产品提供了一些独特的性能。但是此工艺会导致结构损失和缺陷，例如悬垂键和扭曲的Si-Si键（在长度和角度上）。缺陷在电子与空穴重新结合的能隙中产生能级，从而限制了电流。虽然a- si本身有密度缺陷，但应用氢化工艺可以解决这些问题，产生 氢化非晶硅(a- si:H)，这种工艺更容易掺杂，带隙更宽，使其更好地用于制造HJT电池。

在 理想的非晶硅 中，所有的氢都是单配位的，硅是四配位的。非晶材料的许多特性可能存在缺陷受控，例如磁性、光电行为、振动特性和机械特性。对于某些材料，如硫系玻璃，实验上不可能达到理想的非晶态，因为即使在熔体的热平衡中也存在结构缺陷，因此在凝固时会冻结。

氢化非晶硅 自70年代引入以来一直是一种很有前途的材料，其用途一直持续到今天，用于混合太阳能电池、开关器件、数字X射线和光学成像、可见光致发光、薄膜晶体管、用于检测生物分子的光传感器、微机电系统（MEMS）、气体传感器、，高能粒子像素探测器、光电探测器等。氢化非晶硅薄膜及其合金是实现先进光电器件的有力竞争者。

「美能光伏」针对 非晶硅材料，研发了 傅里叶变换红外光谱仪 和 研发级晶化率测试仪，帮助企业控制生产工艺，提高商业成品电池片光电转化率！

氧化铟锡「 ITO 」

氧化铟锡 是氧化铟（III）和氧化锡（SnO2）的固溶体，作为透明半导体材料具有独特的性能。氧化铟锡通常在大多数体积中立即可用。可以考虑高纯度，亚微米和纳米粉末形式。

氧化铟锡（ITO）是 异质结太阳能电池透明导电氧化物(TCO)层的首选材料，透明导电氧化物（TCO）薄膜的沉积技术对于光电器件的高性能至关重要。ITO的反射率和电导率特性使其成为HJT太阳能电池较好的接触层和外层。

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环境保护 成为了全世界关注的焦点问题，我国调整能源结构是国家战略层面的选择，未来国家大力 推进新能源和可再生能源建设的趋势将不可逆转，光伏发电的规模在未来将进一步扩大。异质结太阳能电池的应用场景极为广泛，为太阳能行业扩大太阳能发电的应用市场开辟了新道路。

原标题：制造异质结太阳能电池的材料