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解析:什么是高效晶硅光伏电池技术?
日期:2015-12-10   [复制链接]
责任编辑:evan 打印收藏评论(0)[订阅到邮箱]
2015年6月,国家能源局、工信部、认监委三部委联合发布了《关于促进光伏技术产品应用和产业升级的意见》(国能新能[2015]194号),明确国家将通过“领跑者”计划支持高效电池等先进光伏技术产品应用;

2015年11月17日,工信部公布《产业关键共性技术发展指南(2015年)》,“高效电池生产技术”被明确为优先发展的产业技术之一。何为“高效电池生产技术”?这些技术如何实现光电转换效率提升?哪些企业掌握这些技术?这些技术产业化现状及前景如何?

太阳电池的转换效率


太阳电池的转换效率是电池输出电功率与入射光功率的比值。虽然太阳光包含了一个很宽的连续光谱范围,但不管是哪种材料的太阳电池,都只能吸收一定波段的太阳光,因此太阳电池不能将照射到电池表面全部的太阳光转换为电流,电池的最高转换效率不可能达到100%。

实际上由于额外的损失,太阳能电池的效率很低,只有通过理解并尽量减少损失才能开发出效率足够高的太阳能电池。

对于单晶硅硅太阳能电池,其转换效率的理论最高值是28%。目前,在实验室最佳的条件下制作的单晶硅太阳电池效率最高能达到25%,行业内量产的单晶硅太阳电池效率已达到19%以上,而量产的多晶硅太阳电池效率则约为18%。
  
晶体硅太阳能电池光电转换效率的影响因素


对于晶体硅太阳电池来说,只有波长小于1.1μm的光才能使晶硅材料产生电子-空穴对,而其余波段的太阳光不能被电池利用,直接转变为热量。另外,电子-空穴对的复合、硅表面的光反射等都会影响电池的转换效率。

总体来说,可将影响晶体硅太阳电池转换效率的因素总结为两大类:光学损失和电学损失。(1)光学损失,包括材料的非吸收损失(即硅材料的光谱响应特性)、硅表面的光反射损失以及前栅线电极的遮挡损失。(2)电学损失,包括半导体表面及体内的光生载流子(电子-空穴对)的复合损失、半导体与金属电极接触的欧姆损失。
 
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来源:光伏新闻
 
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