4、增加背场。可通过蒸铝烧结、浓硼或浓磷扩散的工艺在晶体硅电池上制作背场。如在P型材料的电池中，背面增加一层P+浓掺杂层，形成P+/P的结构，在P+/P的界面就产生了一个由P区指向P+的内建电场，不但可建立一个与光生电压极性相同的内建电场，提高电池的开路电压，还能增加光生载流子的扩散长度，提高电池的短路电流，同时可降低电池背表面的复合率，提高电池的转换效率。

5、改善衬底材料。使用高纯的硅材料，可降低因晶体结构中缺陷所导致的光生载流子复合。比如，使用载流子寿命长、制结后硼氧反应小、电导率好、饱和电流低的n型硅材料制作高效电池。

当前高效晶硅电池生产技术

基于以上几种提高晶体硅太阳电池转换效率的工艺，目前在业界内应用较为广泛的高效晶体硅太阳电池技术主要有：PERC电池技术、N型电池技术、IBC电池技术、MWT电池技术、HIT电池技术等。

“高效电池生产技术”主要技术内容：开发电池效率达到22%以上的高效电池生产技术，包括重点背场钝化（PERC）电池、金属穿孔卷绕（MWT）电池、N型电池、异质结电池（HIT）、背接触电池（IBC）电池、叠层电池、双面电池等，并实现产业化生产。