科学家们声称，他们能研制出一种优质薄膜单晶硅，其厚度约为10μm、且晶体缺陷密度被降低。其硅密度降低到硅晶片的水平，而增长速度超出先前的10倍以上。

 

研究人员通过一种区域加热重结晶方法(ZHR法)，将表面粗糙度降低到0.2-0.3nm。基底然后以高速生长，生产出具有高晶体质量的单晶薄膜。利用双层多孔硅层可以很容易将长好的薄膜剥离下来，基底可重复使用或作为薄膜生长的蒸发源，从而大幅减少了材料损失。这一工艺同时显示，表面粗糙度在0.1-0.2nm范围以内对晶体缺陷的形成具有重要影响。

 

科学家们在声明中表示，这种薄膜硅作为低成本的底部电池，应用在串联型太阳能电池中，其效率有可能超过30%。