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中国多晶硅行业技术发展分析
日期:2019-03-29   [复制链接]
责任编辑:huaqiyue_gh 打印收藏评论(0)[订阅到邮箱]
编者按:国内多晶硅厂商还通过不断提高设备的国产化率,从而降低固定资产投资成本,从而降低生产成本。如江苏中能一期1500吨产能完全采用进口设备,而从二期开始便逐步采用国产设备,到三期15000吨产能建设时,设备国产化率已达80%。

近年来,随着行业内相关企业的不断投入,多晶硅制备不断向冷氢化技术、还原炉大型化、规模扩大的方向发展,从而促使多晶硅生产成本不断降低。具体情况如下:

A.冷氢化技术:冷氢化合成反应温度为550℃,由于反应器中同时发生吸热反应和放热反应,放热反应释放的热量被吸热反应吸收,其反应热利用率较高,因此冷氢化工艺综合电耗较低,同时,其一次三氯氢硅合成效率比热氢化工艺高,达到25%。

B.还原炉大型化:多晶硅还原电耗约占综合电耗的60‐70%,约占综合生产成本的25‐35%,是最主要的能耗工艺环节,同时也是影响实际产量最核心的工艺环节。目前,多晶硅还原炉已由初期的4对棒、9对棒、12对棒逐步发展为24对棒、36对棒占主流,同时,行业内优势企业已运行40对棒还原炉,并着手投入研发48对棒还原炉。

C.规模扩大:为提高固定资产投资效率,行业内企业逐步加大投资规模,依托规模效应,从而大幅降低单位建设成本。

此外,国内多晶硅厂商还通过不断提高设备的国产化率,从而降低固定资产投资成本,从而降低生产成本。如江苏中能一期1500吨产能完全采用进口设备,而从二期开始便逐步采用国产设备,到三期15000吨产能建设时,设备国产化率已达80%。

原标题:中国多晶硅行业技术发展分析
 
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来源:科日光伏网
 
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