编者按：未来10年行业比较认可的技术方向是HIT+钙钛矿做叠层电池。HIT具备高效率、低衰减、低温度系数、高双面率的优势，目前23%效率的HIT电池售价1.6元/瓦，较21.9%效率的同尺寸PERC溢价0.65元/瓦。

HIT升级空间大。晶硅电池的效率极限在30%左右，无论PERC还是HIT都达不到这个效率水平，PERC潜力预计在23%，HIT预计在26%，因此PERC和HIT都是光伏产业技术进步历程中的过渡形态。

HIT +钙钛矿叠层市场可期

就近几十年的技术探索结果而言，未来10年行业比较认可的技术方向是HIT+钙钛矿做叠层电池(Tandem)。HIT到叠层只需要增加3道设备，4层膜，成本增加约0.2元/瓦。HIT可以升级到叠层，HIT产线和下一代叠层产线可以完全兼容，大幅度降低了HIT产线被颠覆的风险。

市场：高端到低端，分布式到电站

HIT电池存在溢价。HIT具备高效率、低衰减、低温度系数、高双面率的优势，目前23%效率的HIT电池售价1.6元/瓦，较21.9%效率的同尺寸PERC溢价0.65元/瓦。

HIT电池优异的特性对不同业主价值不一样。在BOS越高、温度越高，利用小时越高，电价越高的地区，HIT可以有更高溢价，因此HIT目前主要应用于欧美日等高BOS成本和中东等热带地区。

高效率：高效率可以摊低组件BOM成本和电站BOS成本，不同地区存在较大差别，国内1%效率优势对应约8分/瓦的溢价，在欧美日等高BOS地区，高效率带来的溢价会更高，这也是HIT目前主要市场在欧美日的原因。

低衰减：按8%折现率计算，低衰减溢价=0.37*利用小时/1000*不含税电价*(1-所得税率)。

低温度系数：溢价=10.67*(组件温度-25)*发电小时/1000*温度系数差*不含税电价*(1-所得税率)，在中东等热带地区，温度和发电小时都很高，特别适合HIT。

高双面率：等效功率多10W，溢价1-2分，双面得到客户认可，但定价还有待规范。

高端到低端，分布式到电站。HIT的特性决定了其市场将由高端逐步渗透到低端，从分布式渗透到电站。光伏电池由于是ToB的产品，无法对客户进行差异化定价，因此市场渗透过程中，HIT电池的价格会逐步降低，当前价格1.6元/瓦，预计规模化生产后价格将下降到1.2-1.3元/瓦。

硅片：P型转N型，HIT+大硅片

硅片进入N型时代。N型硅片少子是空穴，寿命比P型高两个数量级，且对金属杂质不敏感，衰减低，因此更适合用来制作HIT电池。目前国内N型硅片供应商主要是隆基、中环、晶科，其工艺已经成熟，硅片环节的切换难度相对较低。

硅片尺寸分歧较大，大硅片主要是新产线在兼容。传统电池产线使用M2硅片，明年主流预计是同尺寸但不带倒角的G1。隆基主推的M6需要对现有产线进行改造，改造费用约2500万元/GW,目前PERC电池厂盈利较弱，改造的积极性较低，因此主要是新建产线在配套M6。中环主推的M12则完全无法通过现有产线升级，只有新建产线才能兼容M12，但M12由于产业链各个环节改动较多，产业链配套尚未成熟，因此产业里观望较多，仅头部企业新建产能兼容了M12。从半导体产业发展经验来看，硅片尺寸做大有利于降低成本。

HIT是板式工艺，更容易兼容大硅片。HIT生产工艺仅4步，清洗制绒机和丝网印刷机尺寸调节较为容易。PECVD和PVD都是板式设备，其加工能力取决于载板面积，比如梅耶博格的PECVD载板一次可以放置56片(7*8)硅片，美国应材的6代PECVD一次可以放置99片(9*11)硅片，硅片尺寸变大之后，可以通过做大载板面积或者减少硅片放置数量来解决，因此HIT工艺比较容易兼容大硅片。PERC电池有部分管式生产设备，硅片尺寸超过炉管直径后只能更换设备。

PERC产线无法改造为HIT，新建HIT产线必然会考虑兼容大硅片。其实不管是新建PERC还是HIT抑或TOPCon产线，电池厂都会考虑对大硅片的兼容。但当前PERC技术完全扩散，壁垒较低，格局较散，盈利较弱，靠PERC推广大硅片大概率会比较缓慢。如果HIT技术成熟，新建HIT产线必然会直接过渡到大硅片，这会加快大硅片的推广。从目前产业调研情况来看，HIT设备厂普遍已经兼容M6硅片，或者直接就是按照M6硅片在设计，个别设备厂已经在往M12升级。

原标题：三个方面讲述异质结电池升级空间