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破产后的GTAT会不会再从光伏技术之路爬起来?
日期:2014-10-16   [复制链接]
责任编辑:evan 打印收藏评论(0)[订阅到邮箱]

2012年1月31日,公司宣布DSS™450 MonoCast™晶体生长系统面市。在总产出方面,GT的DSS™450 MonoCast™熔炉所生长材料生产的模块可媲美结合传统渗硼直拉单晶硅晶圆的模块。DSS450 MonoCast熔炉具备多种新功能,可实现每个铸锭的单晶硅产量≥80%,与其他铸造单晶硅技术相比,能大幅提升每个晶柱中的I级晶圆(大于90%单晶硅/晶圆)产量。GT的DSS450和DSS450HP系统率先采用MonoCast™技术。

同日,GTAT推出综合绩效管理解决方案Acuity™软件,便于操作人员优化GT的DSS™系列晶体生长熔炉绩效。Acuity软件可监测DSS生产数据,方便PV制造商实时观察设备的实际性能和理想性能。通过了解这些性能差距,各公司可在获悉更多情况的条件下作出决定,确保DSS熔炉能以最佳效率水平反复运转。

2012年9月25日,GT Advanced Technologies宣布了两个新的DSS技术升级,已有用户通过升级其DSS技术可以获得更低成本的产品,同时还可以提高其炉子生产的材料的质量。一个升级是MultiPlus场升级,目标是改善GT DSS炉子生产的材料质量,通过该升级可以得到更高效率的多晶硅材料。第二个升级是允许DSS客户将目前的Gen5 DSS 450和650炉提升至Gen6的生产水平,因此可以降低总体硅片成本。此外,更高容量 系统将提供一个连接Gen6 MonoCast产品的路径,所有这些都在同一个炉子里完成。所有的升级可以兼容公司的Acuity DSS性能监测软件,该软件可以通过远程监控和连续性能分析来优化DSS生产力。同时,还透露,GT正在开发其HiCz技术,以实现下一代材料质量的提高和成本缩减,因为行业将在接下来的几年从N型材料过渡至更高的效率水平。

2013年7月8日GTAT 推出了其新型SiClone(TM)100碳化硅(SiC)生产炉。SiClone100采用升华生长技术,能生产出高品质的半导体SiC晶体块,可最终制成最大直径为100毫米的芯片。

2013年发布的Q3财报显示,GTAT多晶硅业务并不景气,太阳能设备部门持续疲软。三季度,GTAT多晶硅销售额同比暴跌70%,仅为2860万美元。三季度总营收4030万美元,净亏3810万美元。同时,三季度GTAT持续研发数个多晶硅与太阳能技术,含Hyperion离子植入系统及HiCz型材料解决方案,前者适用于光伏与电力的制造应用领域。

2014年3月,GTAT推出创新型太阳能电池镀膜与互联技术,这项被称为“梅林”(Merlin)的技术预计可在太阳能组件的生产与安装过程中节约大幅成本。新技术的一个重要组成为弹性网格,用来替代传统的两栅和三栅银主栅线,同时大幅降低了银浆的使用量。经由传统电池串工艺制得的两栅和三栅银主栅线结构电池已被确认具有多种关键问题,包括焊点失效、热点、彩带焊点失效等。太阳能电池制造商始终都在关注包括降低使用量在内的银浆减本策略,并同时提高电池转换效率。Merlin技术所具有的创新机制预计可大幅降低昂贵的银浆使用量,公司称降幅可高达80%,同时还称可提高电池板效率,并将组件成本降低10%。公司计划在2015年一季度实现商业化量产。

 
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来源:OFweek 太阳能光伏网
 
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