这次主要想写写这个正银的边界约束条件及各个关键节点的判断标准，如此我们就会有一套正银应遵循的框架体系及各类问题的判断标准及合理解释，当然这套体系仅为我一家之见，写在这儿和大家共同探讨印证，以期辨明真相大家受益。

正银作为正面电极如果说大的原则那就只有一个即在满足导电的前提下尽可能少的对电池本身造成损伤。由这个原则我们就会推出尽可能少的损伤有两方面，一个是遮盖面积要少对应的是栅线要细，目前大家认为这个基本都到了丝网印刷的极限，但从金属化会议大佬的推测来看还没有，还可能在目前的基础上再降一半的，具体如何我们拭目以待。而另一个方面就是为大家一直所探讨的栅线下面的欧姆接触问题了，也是大家做文章的地方。

对于这个欧姆接触问题我们又有一个判断标准那就是在满足这个欧姆接触的前提下，那个栅线下面的纳米胶体通道也尽可能的少，这样也是在满足大前提对电池的损伤最小原则。这个尽可能少如何判断呢，这个我们无法从哪些复杂的半导体公式推导时可以有一个简便的方法就是以杜邦的产品为标准，把那个栅线用焊带拉开，仔细观察下你那个产品和杜邦产品的对硅片的腐蚀情况，国内有公司就是靠这点来现场调整工艺的。而要满足这个银纳米胶体通道最少原则则每个纳米胶体通道就要导电能力强且要均匀分布，均匀分布是你制造工艺的问题，而导电能力强又是一个银纳米胶体颗粒多少的问题，这个问题的前提就会演化为玻璃体系溶银能力的问题，即溶银能力一定要强这个是前提，也是玻璃体系不断变化的因。有了这个前提才会有你后面控制降温段颗粒大小及晶体异常长大的问题。只要你的体系溶银能力不错而降温时能有效控制胶体颗粒大小及分布同时抑制结晶颗粒的异常长大，那么你基本上就做出一款好正银了。对于欧姆接触还有一个要讨论的就是第五主族参杂的问题，这个在目前电池形式下是无法通过正银实现的，而对于埃伯乐公司那个银锑合金原理那是在无钝化层的光片上可以实现的。

以上讨论基本就是正银的边界约束条件，下面我们看看各个关键节点的判断标准及各类现象解释。