1.0绪论

为了降低太阳电池的成本, 提高光电转换效率, 电池片生产厂家不断追求减小硅片的厚度, 以降低原材料的成本, 目前,硅片厚度已由300 Lm 降到200Lm,相应产生每瓦电能所耗的硅片量减少 20%。随着硅太阳电池衬底质量的不断提升, 太阳电池的少子寿命也不断增大，当少子扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时, 背表面的复合速度对太阳电池特性的影响就很明显。因此, 为了提高电池的效率, 就必须考虑如何降低电池背表面的复合速度。因而研究铝背场对太阳电池输出性能的影响就显得十分必要。

2.0光与电池片

硅太阳能电池是一个二极管，由p型硅（一般为硼掺杂）和n型硅（一般为磷掺杂）结合形成。当光照射电池时有很多种情形，如图2-1所表现的那样。


注：1.光在顶部电极的反射与吸收；2.电池表面反射3.理想吸收4.从电池底部反射-仅微弱吸收光5.反射后的吸收6.在底部电极的吸收
为了获得最大功率的电池，电池必须设计成最大吸收（3）和反射后最大吸收（5）。

在p-n结中空间电荷区E将电子吸引到n区同时将空穴吸引到p区一边。图2-2描述了短路情况下理想的电荷流动。实际上一些电子空穴对如图2-3所示在被收集前会复合消失。